国家标准 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
起草单位：万向硅峰电子股份有限公司。
起草人：楼春兰 、朱兴萍 、方强 、汪新平 、戴文仙 。
GB/T 6616─2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
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GB/T 6616-2009标准状态
- 发布于：2009-10-30
- 实施于：2010-06-01
- *非实时更新以实际为准