YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
起草单位：中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司等股份有限公司
起草人：高英、武斌 等
YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
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YS/T 839-2012标准状态
- 发布于：2012-11-07
- 实施于：2013-03-01
- *非实时更新以实际为准
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起草单位：中国计量科学研究院、有研半导体材料股份有限公司等股份有限公司
起草人：高英、武斌 等