SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所
起草人：罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等
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SJ/T 11586-2016标准状态
- 发布于：2016-01-15
- 实施于：2016-06-01
- *非实时更新以实际为准
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起草单位：工业和信息化部电子第五研究所
起草人：罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等