内容简要 本文件充分借鉴了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-…
T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
主要起草人：许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬
起草单位：中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司
范围：本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法。