内容简要 氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力…
T/IAWBS 015-2021 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
主要起草人：李培刚、郭道友、吴忠亮、陈旭、唐为华。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京邮电大学，北京镓族科技有限公司
范围：本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。本文件适用于β相氧化镓单晶。