内容简要 碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大…
T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
主要起草人：陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学成、赵璐冰
起草单位：广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
范围：本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。