内容简要 T/CASAS027—2023《射频GaNHEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaNHEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方…
T/CASAS 027-2023 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法
主要起草人：魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo、裴轶、徐瑞鹏。
起草单位：中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVA SYTEM INC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。