内容简要 本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称“外延设备”）的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和贮存要求内容，对…
T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
主要起草人：曹建伟、朱亮、傅林坚、张俊、周建灿、刘毅、沈文杰、金玲飞、刘丹丹、余婷、楼科利、朱盛霞。
起草单位：浙江求是半导体设备有限公司、浙江晶盛机电股份有限公司、浙江求是创芯半导体设备有限公司、中国质量认证中心杭州分中心。
范围：本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺。本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100 mm（4英寸）、150 mm（6英寸）和200 mm（8英寸）SiC 晶片的碳化硅外延设备。