内容简要 本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压…
T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
主要起草人：冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所