此标准规定了宇航用抗辐射加固集成电路单元库(以下简称“加固单元库”)的组成、辐射效应建模与仿真、加固单位库设计、设计套件的设计和验证、加固单元库的验证、加固单元库手册编制等要求。
此标准适用于体硅/SOM CMOS工艺的加固单元库设计,以及产品研制前对加固单元库的综合评价。
GB/T 43228-2023 宇航用抗辐射加固集成电路单元库设计要求
起草单位:北京微电子技术研究所、中国航天电子技术研究院。
起草人:赵元富 、王亮 、岳素格 、周亮 、孙永姝 、李同德 、林建京 、赵曦 、王慜 、刘征宇 。