此标准规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
此标准适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200mm和300mm、晶向、电阻率0.1Ω·cm ~ 100Ω·cm的Low-COP抛光片。
GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司。
起草人：孙燕 、宁永铎 、钟耕杭 、李洋 、徐新华 、骆红 、杨素心 、李素青 、张海英 、由佰玲 、潘金平 。