内容简要 随着科技的发展和进步，第三代半导体材料碳化硅（SiC）取得了令人瞩目的成就，所研发的碳化硅器件的性能指标远超当前硅基器件，并且成功实现了部分碳化硅器件的产业化，在一些重要的能源…
T/IAWBS 014-2021 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法
主要起草人：彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、陈海芹、王波、刘春俊、郭钰、杨建。
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟，北京天科合达半导体股份有限公司。
范围：本文件规定了碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法。本文件适用于晶面偏离{0001}面角度为0°～8°的碳化硅单晶抛光片的位错密度的测试。