国家标准 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
起草单位：西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技（中国）有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司。
起草人：蔚红旗 、张立 、陈子颖 、乜连波 、王晓宝 、秦贤满 。
GB/T 29332─2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
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GB/T 29332-2012标准状态
- 发布于：2012-12-31
- 实施于：2013-06-01
- *非实时更新以实际为准