GB/T 34900─2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

国家标准 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

GB/T 34900-2017 微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法

起草单位：天津大学、中机生产力促进中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、南京理工大学、中国电子科技集团公司第十三研究所。

起草人：郭彤 、胡晓东 、李海斌 、于振毅 、裘安萍 、程红兵 、崔波 、朱悦 。