GB/T 42896─2023 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法

此标准描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。

此标准适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。

GB/T 42896-2023 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法

起草单位：北京大学、中机生产力促进中心有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京燕东微电子科技有限公司、宁波芯健半导体有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、上海临港新片区跨境数据科技有限公司、广州奥松电子股份有限公司。

起草人：张大成 、杨芳 、李根梓 、顾枫 、刘鹏 、王旭峰 、李凤阳 、高程武 、于志恒 、陈艺 、华璇卿 、刘若冰 、张彦秀 、罗书明 、武斌 、张启心 、张宾 。